特許

J-GLOBAL ID：200903011329081653

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

発明者： 伊藤 辰雄 ,  山本 昌裕
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197038
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023124
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 再生ギャップ長を小さくし、高周波記録信号に対応し、記録密度の向上に有効な薄膜磁気ヘッドとその製造方法を提供する。【解決手段】 下部シールド層の上面及び電極リード層と磁気抵抗効果素子の上面に酸素プラズマ処理を行って酸化膜を被膜させた後、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層を成膜形成することによって、磁気抵抗効果素子の上下に位置する夫々の絶縁層の膜厚が小さくでき、全体として再生ギャップ長が小さくなり、高周波対応ができ、記録密度の向上に有効な薄膜磁気ヘッドが作製できる。

請求項（抜粋）：

軟磁性材料からなる下部シールド層と、前記下部シールド層の上に成膜された下部ギャップ絶縁層を介して積層形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の両側に形成されたハードバイアス層と、前記ハードバイアス層及び一部の前記磁気抵抗効果素子の上に成膜された電極リード層と、前記電極リード層及び前記磁気抵抗効果素子の上に成膜された上部ギャップ絶縁層を介して形成された共通シールド層とを有し、且つ、前記下部シールド層の上面及び前記電極リード層と前記磁気抵抗効果素子の夫々の前記上部ギャップ絶縁層に接する上面の少なくともどちらか一方の上面を酸素プラズマ表面処理するか或いはどちらか一方の前記上面にAl金属膜を成膜した後に酸素又は窒素プラズマ処理するかのいずれかの処理後、前記下部ギャップ絶縁層及び前記上部ギャップ絶縁層が成膜されたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。

Fターム (8件)：

5D034BA02 ,  5D034BA09 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034BB12 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07