特許
J-GLOBAL ID：200903011329482828
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-006953
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211729
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】本発明は、ベース電極のコンタクト抵抗を低減し、電流利得を高く維持することができるHBT及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】n型GaAsコレクタ層10上のp型GaAsベース層12中央部に、濃度1×1020cm-3のカーボンが添加された真性ベース領域12aが形成されているが、このカーボンは水素によりバッシベーションされているため、正孔濃度は5×1019cm-3である。p型GaAsベース層12周囲の表面部には、同じく濃度1×1020cm-3のカーボンが添加されたp++型GaAs外部ベース領域12bが形成されているが、このカーボンはほぼ100%活性化しているため、正孔濃度は1×1020cm-3になっている。真性ベース領域12a上に、n型AlGaAsエミッタ層14がヘテロ接合して形成され、p++型GaAs外部ベース領域12b上に、ベース電極22がオーミック接触して形成されている。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、ベース層のうち、ベース電極と接触する外部ベース領域の少なくとも表面層に、カーボンが添加され、エミッタ層とヘテロ接合する真性ベース領域に、水素によりパッシベーションされたカーボンが添加されており、前記外部ベース領域の少なくとも表面層の正孔濃度が、前記真性ベース領域の正孔濃度より高濃度であることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
