特許

J-GLOBAL ID：200903011334578469

マイクロ構造体、及びその作製方法

発明者： 山▲崎▼ 剛生 ,  手島 隆行 ,  牛島 隆志 ,  島田 康弘 ,  八木 隆行
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339321
公開番号（公開出願番号）：特開2001-150454
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：

【要約】【課題】メッキ層表面が平滑なマイクロ構造体を短時間で効率良く作製することが可能なマイクロ構造体の作製方法である。【解決手段】マイクロ構造体の作製方法において、導電性部分2を有する基板1の導電性部分2上に絶縁性マスク層3を形成し、マスク層3に適当形状の開口部4を形成して導電性部分2を露出し、導電性部分2を電極として、少なくとも一部工程においてパルスメッキを行うことにより、開口部4を通じて開口部4及びマスク層3上にメッキ層5を形成する。

請求項（抜粋）：

マイクロ構造体の作製方法であって、(1)少なくとも一部に導電性部分を有する基板を用意する工程、(2)前記導電性部分上に絶縁性マスク層を形成する工程、(3)前記マスク層に複数ないし単数の適当形状の開口部を形成して導電性部分を露出する工程、(4)導電性部分を電極として、少なくとも一部工程においてパルスメッキを行うことにより、前記開口部を通じて開口部及びマスク層上にメッキ層を形成する工程、を有することを特徴とするマイクロ構造体の作製方法。

IPC (3件)：

B29C 33/38 ,  G02B 3/00 ,  B29L 11:00

FI (3件)：

B29C 33/38 ,  G02B 3/00 A ,  B29L 11:00

Fターム (4件)：

4F202AH74 ,  4F202CD03 ,  4F202CD12 ,  4F202CD22