特許
J-GLOBAL ID:200903011336342896
セラミックへのメッキ方法および誘電体共振器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-323387
公開番号(公開出願番号):特開平9-165685
出願日: 1995年12月12日
公開日(公表日): 1997年06月24日
要約:
【要約】【課題】 セラミック表面を粗化しなくても、その表面上に適度の密着強度で電極層を形成できるようにして、特性に優れた誘電体共振器を効率良く製造できるようにする。【解決手段】 まず誘電体セラミック1を酢酸亜鉛水溶液に浸漬した後に、乾燥させ、焼成して誘電体セラミック1表面上に酸化亜鉛薄膜2を形成する。次いで誘電体セラミック1を塩化パラジウム水溶液中に浸漬して触媒被膜3を形成する。この後誘電体セラミック1を硫酸銅水溶液に浸漬して無電解メッキを行い、銅メッキ層(電極層)4を形成する。
請求項(抜粋):
セラミックの表面に酸化亜鉛薄膜を被着させ、該酸化亜鉛薄膜の表面に無電解銅メッキを施すことを特徴とするセラミックへのメッキ方法。
IPC (3件):
C23C 18/18
, H01P 7/04
, H01P 11/00
FI (3件):
C23C 18/18
, H01P 7/04
, H01P 11/00 J
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