特許
J-GLOBAL ID：200903011336754779
半導体装置用キャップ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-305047
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252281
出願日： 1993年12月06日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 反射光を吸収し、迷光を防止できる半導体装置用キャップおよびその製造方法を提供する。【構成】 キャップ本体21に耐蝕下地めっき皮膜23が形成され、該耐蝕下地めっき皮膜23上にコバルトまたはコバルト合金のめっき皮膜24がほぼ黒色に形成されている。キャップ本体21に電解ニッケルめっき、無電解ニッケルめっき等の耐蝕下地めっきを施し、該耐蝕下地めっき皮膜上にコバルトまたはコバルト合金のめっき皮膜を形成し、該めっき皮膜を加熱処理によりほぼ黒色に形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
キャップ本体に耐蝕下地めっき皮膜が形成され、該耐蝕下地めっき皮膜上にコバルトまたはコバルト合金のめっき皮膜がほぼ黒色に形成されていることを特徴とする半導体装置用キャップ。
IPC (5件)：
H01L 23/04
, G02B 5/00
, H01L 23/02
, H01L 31/0232
, H01L 31/12
