特許
J-GLOBAL ID：200903011340143067
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267857
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107125
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【目的】 発光出力を大きくする。【構成】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板の上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型ドーパントをドープした低抵抗のp型窒化ガリウム系化合物半導体層を設けている。n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層に、n型電極とp型電極を接続している。p型電極は、p型窒化ガリウム系化合物半導体層のほぼ全面に設けられる共に、アニーリングするときにp型窒化ガリウム系化合物半導体層から除去される水素ガスを透過させる微細な空隙のガス透過部を有する。p型電極は、アニーリング処理してp型窒化ガリウム系化合物半導体層に電気接続されている。
請求項（抜粋）：
基板の上に、少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型ドーパントをドープして水素を含むp型窒化ガリウム系化合物半導体層とを有し、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層にn型電極が、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層にp型電極が接続されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、p型電極は、p型窒化ガリウム系化合物半導体層のほぼ全面に設けられる共に、アニーリングするときにp型窒化ガリウム系化合物半導体層から除去される水素ガスを透過させる微細な空隙のガス透過部を有し、このp型電極が、アニーリング処理してp型窒化ガリウム系化合物半導体層に電気接続されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01S 3/18
