特許

J-GLOBAL ID：200903011341511698

ショットキバリヤ型ダイオード及びその製造方法

発明者： 秋野 勝
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249389
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104424
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 信頼性の高いショットキバリヤ型ダイオードを提供すると共に歩留まりを向上することのできるショットキバリヤ型ダイオードの製造方法を提供することにある。【構成】 酸化膜に窓開けした半導体基板上にバリヤ金属を堆積させた後、金属の拡散防止層を堆積させ、更に金属電極を堆積させた構造になっており、最上層の金属電極が半導体基板表面に侵入することができないようになっている為、ショットキバリヤ高さが安定且つ逆方向耐電圧特性が安定している。

請求項（抜粋）：

半導体基板にバリア金属を蒸着して成るショットキバリヤ型ダイオードにおいて、バリヤ金属と金属電極の間に拡散防止層を具備することを特徴とするショットキバリヤ型ダイオード。