特許

J-GLOBAL ID：200903011347053470

ドライエッチング方法

発明者： 長山 哲治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202615
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053186
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 Six Ny 系材料層に対して高選択比を確保しながらSiOx 系材料層をドライエッチングする。【構成】 有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のAlブロック・チャンバ4の内壁面にSiS2 層等からなるS系材料層15を配し、この層とECRプラズマPとの接触面積を昇降式シャッタ16に昇降により可変とする。接触面積が大きければプラズマ中に大量のSが放出されてエッチング反応系のS/F比が上昇し、接触面積が小さければ低下する。Si3 N4 下地膜上でSiO2 層間絶縁膜を選択的にエッチングする場合、ジャストエッチング工程では接触面積を小、オーバーエッチング工程では大とすれば、オーバーエッチング時のSが豊富となり、Si3 N4 下地膜上に窒化イオウ系化合物からなる保護膜が効率良く形成され、高選択比が達成される。

請求項（抜粋）：

エッチング・チャンバの内壁面の少なくとも一部がイオウ系材料層により被覆されてなるエッチング装置にフッ素系化合物を含むエッチング・ガスを導入し、プラズマとの接触により前記イオウ系材料層からイオウおよび/またはイオウ系材料を供給可能とした状態で、窒化シリコン系材料層の上に形成された酸化シリコン系材料層を基体表面の一部に少なくとも窒化イオウ系化合物を堆積させながら選択的にエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00