特許
J-GLOBAL ID：200903011348461548
熱整合されたICチップ装置および製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308362
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007042
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、互いに異なる熱膨脹係数を有するICチップとプリント配線板とを確実にフリップチップ接着させることのできるICチップ装置およびその製造方法を提供すること目的とする。【構成】 ICチップ用の接続配線を有しているプリント配線板26と、厚いチップ基板20によって支持されている半導体薄層ICチップ14とを具備し、フリップチップ取付けされるときに予め定められた温度の範囲内で不所望なレベルの応力を生成しないようにプリント配線板26と熱膨脹係数が大きく相違する半導体薄層14がチップ基板26の熱膨脹係数と見掛け上ほぼ同じになるようにチップ基板20よりも十分に薄くされていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
それに取付けられるICチップ用の電気相互接続配線を有している相互接続基板と、実質的に厚いチップ基板によって支持されている半導体材料の薄層のICチップとを具備し、前記半導体材料のICチップが前記相互接続基板上にフリップチップ取付けされるときに前記半導体材料が予め定められた温度の範囲において不所望なレベルのフリップチップ接着応力を生成するような前記相互接続基板の熱膨脹係数とは異なる熱膨脹係数を前記半導体材料が有し、この半導体材料の薄層が前記チップ基板の熱膨脹係数を実質的に呈するために前記半導体層の前記チップ基板よりも十分に薄くされており、前記チップ基板は前記予め定められた温度の範囲において前記不所望のレベルの応力のを避けるために前記相互接続基板の熱膨脹係数と同様の熱膨脹係数を有していることを特徴とする低応力集積回路チップ装置。
引用特許：
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