特許

J-GLOBAL ID：200903011348835006

プラズマ処理方法

発明者： 井上 雅司
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238031
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094479
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【構成】 プラズマ生成部においてプラズマを生成し、生成したプラズマを被処理基板上まで磁場によって輸送し、前記被処理基板に前記プラズマによる処理を施すプラズマ処理方法において、前記被処理基板上の磁場強度の最小値が50ガウス以上、前記被処理基板に入射する磁場の方向と前記被処理基板の法線とのなす角度の最大値が30度以下になるように磁場を形成して処理を施すプラズマ処理方法。【効果】 プラズマによる化学処理を効率良く行うことができるとともに、前記被処理基板の表面近傍に形成されるイオンと電子の面内分布のずれを抑制することができ、チャージアップ分布による基板内の半導体素子の劣化を防止することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマ生成部においてプラズマを生成し、生成したプラズマを被処理基板上まで磁場によって輸送し、前記被処理基板に前記プラズマによる処理を施すプラズマ処理方法において、前記被処理基板上の磁場強度の最小値が50ガウス以上、前記被処理基板に入射する磁場の方向と前記被処理基板の法線とのなす角度の最大値が30度以下になるように磁場を形成して処理を施すことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H