特許
J-GLOBAL ID：200903011352654962
イオンビーム装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184340
公開番号（公開出願番号）：特開平7-021955
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 イオンビームの角電流密度を高める。【構成】 絶縁筒7内を、超高真空状態に成る様に排気し、この状態において加熱電流源18によりエミッタ1を高温に加熱する。そして、切り換えたビルトアップ用電圧源19により、前記エミッタ1に対し引出し電極8に正の高電圧を印加する。鏡筒内に残留している水素ガスの働きにより前記エミッタ、即ち、タングステンの単結晶の軸方位<111>のビルトアップが行われる。液体ヘリウムの冷却槽4への供給を行う。この状態で、リークバルブ16を開き、ガスボンベ15からイオン化すべきガスを導入管14を通じて絶縁筒7内に導入する。そして、切り換えた引出し電圧源20により、前記エミッタ1に対し引出し電極8に負の高電圧を印加する。その結果、該軸方位<111>のみからイオンの放出が行なわれる。
請求項（抜粋）：
エミッタ、エミッタ冷却手段、前記エミッタに対抗して配置される引出し電極、前記エミッタ及びエミッタ周辺にイオン化すべきガスを導入するイオン化ガス導入手段、少なくとも前記エミッタ近傍を高真空状態にする排気手段、及び、エミッタ加熱手段を備えており、前記エミッタと前記引出し電極の間に負の高電圧と正の高電圧を切り換えて印加出来る様に成しており、前記エミッタのビルトアップ時には、該エミッタを前記エミッタ加熱手段により加熱し、該エミッタに対し前記引出し電極に正の高電圧を印加してビルトアップ用ガスの作用により該エミッタの特定の軸方位をビルトアップし、イオンビーム発生時には、前記エミッタを前記エミッタ冷却手段により冷却し、前記イオン化ガス導入手段により該エミッタ及びエミッタ周辺にイオン化すべきガスを導入し、該エミッタに対し前記引出し電極に負の高電圧を印加して前記ビルトアップ済みのエミッタからイオンを放出させる様に成したイオンビーム装置。
IPC (5件)：
H01J 37/08
, H01J 27/02
, H01J 37/30
, H01J 37/305
, H01J 37/317
