特許

J-GLOBAL ID：200903011359566120

金属膜スパッタリング成膜方法

発明者： 北原 孝晃 ,  立石 秀樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-183835
公開番号（公開出願番号）：特開平9-031649
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：

【要約】【目的】チャンバ内の放出ガス速度に応じて、スパッタ圧力を一定に保った状態で、排気速度及びスパッタガス流量を変化させ、チャンバ内の残留ガス分圧を制御し膜質を安定させる。【構成】成膜前にチャンバ2内の放出ガス速度QRESを真空計3を使用して測定し、そのデータをホストコンピュータ4に送る。ホストコンピュータ4により、所定の残留ガス分圧PRESとするため、排気速度制御用オリフィス5を調節し、また、スパッタガスボンベ6より供給されるスパッタガス流量を制御するマスフローコントローラ7を調節する。この状態で、スパッタ電極8を動作させ基板9にCrを成膜する。【効果】膜質を安定化することで、半導体及び多層配線基板の製造プロセスにおける抵抗不良などの不良を低減することができる。

請求項（抜粋）：

スパッタリングにより金属膜を成膜する際、スパッタ圧力を一定に保った状態でチャンバ内の放出ガス速度に応じて排気速度及びスパッタガス流量を変化させ、且つ、残留ガス分圧を所定圧力以下に保つことを特徴とする金属膜スパッタリング成膜方法。

IPC (5件)：

C23C 14/54 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (5件)：

C23C 14/54 B ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/34 U ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S