特許
J-GLOBAL ID：200903011363768900
青色感度の高い光感応性素子、光感応性素子の製造方法、および、光感応性素子の駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, 杉本 博司
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-555486
公開番号（公開出願番号）：特表2008-530808
出願日： 2006年01月31日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
本発明は、高濃度にドープされた薄いエピタキシ層と低濃度にドープされた半導体基板との半導体接合領域を有する光感応性素子に関する。さらに、光入射窓の外側、エピタキシ層と半導体基板とのあいだに絶縁層が配置されている。本発明によれば、エピタキシ層の厚さは50nm未満であるので、光入射窓に入射する光量子の大部分は低濃度にドープされた半導体基板に吸収される。
請求項（抜粋）：
低濃度にドープされた半導体基板(SU)と、該半導体基板上に配置された絶縁層(IS)と、該絶縁層内に設けられた光入射窓(LF)と、光入射窓の領域内の半導体基板に第2の導電型のドープ物質でドープされた基板ウェル(SW)と、半導体基板の表面の少なくとも光入射窓にかかる領域に配置されたエピタキシ層(ES)とを含むボディを備えた光感応性素子において、
エピタキシ層は少なくとも上方の層領域では第1の導電型のドープ物質によって高濃度にドープされており、エピタキシ層とウェルドープ領域との半導体接合領域(UE)が設けられており、高濃度にドープされたエピタキシ層の層厚さは80nm未満である
ことを特徴とする光感応性素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F049MA02
, 5F049MA04
, 5F049MA11
, 5F049MB12
, 5F049NA01
, 5F049NA03
, 5F049NA04
, 5F049NA12
, 5F049QA20
