特許

J-GLOBAL ID：200903011366553930

セラミック配線板及びその製造方法

発明者： 盛岡 一信 ,  池谷 晋一 ,  金谷 大介
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007382
公開番号（公開出願番号）：特開平7-212009
出願日： 1994年01月27日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 微細な導体回路部を形成することが可能であって、かつ、半導体チップのダイボンドやワイヤーボンドにおいて良好なボンディング性が得られ、さらに、450°C付近での加熱により導体回路部にフクレの生じることのないセラミック配線板及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明のセラミック配線板は、導体回路部が、下地層が無電解めっき法により形成された銅層で、中間金属層がパラジウム層で、表面層が金層で形成されていて、該銅層の厚みが0.2〜2.0μmであり、該パラジウム層の厚みが1.0μm以上であって、該パラジウム層と該金層の厚みの総和が7.0μm以下であることを特徴としている。また本発明の製造方法は、パラジウム層を電流密度1〜20A/dm2 の電解めっきにより形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

セラミック基板上に導体回路部が形成されているセラミック配線板において、導体回路部が、下地層が無電解めっき法により形成された銅層で、中間金属層がパラジウム層で、表面層が金層で形成されていて、該銅層の厚みが0.2〜2.0μmであり、該パラジウム層の厚みが1.0μm以上であって、該パラジウム層と該金層の厚みの総和が7.0μm以下であることを特徴とするセラミック配線板。

IPC (3件)：

H05K 3/24 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/38