特許

J-GLOBAL ID：200903011367313517

変調器集積化光源および電界吸収型半導体光変調器

発明者： 野田 雅樹 ,  金子 進一 ,  渡辺 弘光
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094802
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298088
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 変調器集積化光源の温度を変化させて、発振波長を所要の基準波長に合わせる際に、同時に消光比の特性の改善を図り、製造歩留まりの向上を図った変調器集積化光源を得ること。【解決手段】 半導体レーザに電界吸収型の半導体光変調器を集積化した変調器集積化光源11において、室温における上記変調器集積化光源11の製造ロットの発振波長分布の中心波長を、光源として使用する所要の基準波長より短波長側に設定し、変調器集積化光源の温度を室温より高くして、夫々の変調器集積化光源の発振波長を上記基準波長に合わせることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体レーザに電界吸収型半導体光変調器を集積化した変調器集積化光源において、室温における上記変調器集積化光源の製造ロットの発振波長分布の中心波長を、光源として使用する所要の基準波長より短波長側に設定し、変調器集積化光源の温度を室温より高くして、夫々変調器集積化光源の発振波長を上記基準波長に合わせることを特徴とする変調器集積化光源。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02B 3/00 ,  G02F 1/025

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G02B 3/00 ,  G02F 1/025