特許

J-GLOBAL ID：200903011368830590

半導体素子の製造装置

発明者： 宮本 祐介 ,  保野 篤司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-350565
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181007
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、帯状基体を傷つけることなく温度モニターして温度制御を行い、正確な温度制御が可能で、生産性の高い半導体素子の製造装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、上記課題を解決するめために、帯状基体を長手方向に連続的に移動させながら、放射加熱ヒータを備えた複数の成膜室を通過させ、該各成膜室によって該帯状基体の表面上に各々独立して積層薄膜素子を連続して形成する半導体素子の製造装置において、前記放射加熱ヒーターは前記帯状基体と非接触の温度測定手段を有する温度制御装置によって温度制御されることを特徴とするものであり、例えば、前記温度制御手段として、帯状基体から放射される熱をモニターし、該帯状基体の基体温度を制御するための熱電対を、放射加熱ヒータと帯状基体との中空に設置して構成したものである。

請求項（抜粋）：

帯状基体を長手方向に連続的に移動させながら、放射加熱ヒーターを備えた複数の成膜室を通過させ、該各成膜室によって該帯状基体の表面上に各々独立して積層薄膜素子を連続して形成する半導体素子の製造装置において、前記放射加熱ヒーターは前記帯状基体と非接触の温度測定手段を有する温度制御装置によって温度制御されることを特徴とする半導体素子の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/48 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/48 ,  H01L 31/04 T