特許

J-GLOBAL ID：200903011368869616

マスクを用いてデバイスを製造する方法およびその方法に用いられる位相シフトマスク

発明者： ペーター、ダークセン ,  カスパルス、エイ.エイチ.ジュファーマンス
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-563955
公開番号（公開出願番号）：特表2003-525471
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2003年08月26日
要約：

【要約】本発明による方法は、基板にデバイスの形状を形成する目的のために、投影露光によって基板上に位相シフトマスクのパターンを写像することに関して記載されている。位相遷移部22および2つのサブ解像度補助形状40、41(位相遷移部に関して対称的に配置され、相互に距離Pだけ離れている)を構成要素とするマスク形状を含むマスクパターンを用いることによって、その相互距離Pのみを変化させるだけで、様々に異なる幅を有するデバイス形状を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上の少なくとも1つの層にデバイスを製造する方法であって、 前記層に形成されるデバイス形状に対応するパターン形状を有し、前記層上に設けられた感光性の層の上にある所定の位相シフトマスクパターンを、波長λの投影光および開口数NAの投影システムを用いて、写像するステップと、 前記デバイス形状の最小の幅がλ/NAよりも小さいマスクパターンの像によって描画された前記層の領域から材料を除去または材料を付加するステップとを具備し、 前記デバイス層に写像されたマスク形状の位置および前記写像されたマスク形状の長さを決定する位相遷移部と、前記デバイス層における前記写像されたマスク形状の幅を実質的に決定する所定の相互距離を有しかつ前記位相遷移部の両側に配置された2つのサブ解像度補助形状との組合せによって形成されたマスク形状を含むマスクパターンを使用することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 D ,  G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 B ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (5件)：

2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB12 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09