特許

J-GLOBAL ID：200903011371968960

半導体ダイオード

発明者： ▲簗▼田 修二
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-116687
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307786
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路の構造に起因する寄生バイポーラトランジスタの動作を禁止しかつ製造技術を変更する事無しに、接合ダイオードより低いVFを有する半導体ダイオードを実現する。【解決手段】 MOS型集積回路上に形成する半導体ダイオードであって、第一のMOSトランジスタのゲートとドレインを接続し、かつ抵抗素子の一方に接続し、抵抗素子の他方を第一のMOSトランジスタのバルクと接続し、かつ第一のMOSトランジスタと同極性の第二のMOSトランジスタのドレインとゲートとバルクに接続し、第一のMOSトランジスタのソースと第二のMOSトランジスタのソースとを接続してなることを特徴とする半導体ダイオード。

請求項（抜粋）：

MOS型集積回路上に形成する半導体ダイオードであって、第一のMOSトランジスタのゲートとドレインを接続し、かつ抵抗素子の一方に接続し、抵抗素子の他方を第一のMOSトランジスタのバルクと接続し、かつ第一のMOSトランジスタと同極性の第二のMOSトランジスタのドレインとゲートとバルクに接続し、第一のMOSトランジスタのソースと第二のMOSトランジスタのソースとを接続してなることを特徴とする半導体ダイオード。

IPC (5件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/86

FI (4件)：

H01L 29/91 L ,  H01L 21/22 S ,  H01L 29/86 A ,  H01L 27/06 102 A