特許

J-GLOBAL ID：200903011374022676

半導体製造装置

発明者： 大橋 誠一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-303646
公開番号（公開出願番号）：特開平6-145969
出願日： 1992年11月13日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：

【要約】【目的】 シャッターとシールド板に蒸着形成する蒸着物質やその化合物の薄膜が熱の影響で殆んど剥離せず、シリコン基板へコンタミネーションとして混入するのが少ない半導体製造装置を提供する。【構成】 所定の真空度に保持した真空槽10の内部に基板1と蒸着物質12を充填した坩堝11とを配置し、蒸着物質12の蒸気を坩堝11のノズルから噴出させて断熱膨張により過冷却状態にしてクラスター12aを形成し、その一部をイオン化したクラスターイオン12bとクラスター12aと真空槽10の内部に噴出させたガスとを基板1の前に配置した開閉自在のシャッター41に向け、このシャッター41を開いて基板1に射突させ、蒸着物質とガスとの化合物を蒸着すると共に、シールド板44により蒸着物質12及び化合物の真空槽10内面への蒸着を防止した半導体製造装置において、シャッター41とシールド板44は蒸着物質と線膨張率が同じかまたはそれに近く、かつ、蒸気圧が摂氏200 度で1×10-8Torr以下の材料からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

所定の真空度に保持した真空槽の内部に基板と蒸着物質を充填した坩堝とを配置し、上記坩堝を加熱して上記蒸着物質の蒸気を上記坩堝のノズルから噴出させ、断熱膨張により過冷却状態にしてクラスターを形成し、その一部をイオン化したクラスターイオンと上記クラスターと上記真空槽の内部に噴出させたガスとを上記基板の前に配置した開閉自在のシャッターに向け、このシャッターを開いて上記基板に射突させ、上記蒸着物質と上記ガスとの化合物を蒸着すると共に、シールド板により上記蒸着物質及び上記化合物の上記真空槽内面への蒸着を防止した半導体製造装置において、上記シャッターと上記シールド板は上記蒸着物質と線膨張率が同じかまたはそれに近く、かつ、蒸気圧が摂氏200度で1×10-8Torr以下の材料からなることを特徴とする半導体製造装置。