特許

J-GLOBAL ID：200903011380791193

枚葉式気相成長装置

発明者： 田 中 一 宏 ,  星 忠 秀 ,  荻 野 正 信
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-200363
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050615
出願日： 1996年07月30日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 反応容器側面への反応副生成物の付着を大幅に低減する。【解決手段】 水素ガスまたは不活性ガスからなる補助ガスBは傾斜貫通管1 ́から反応容器1内部に流出し、反応容器1の側面に沿って下降する。ウエハ7はウエハ載置部8によって高速回転される。反応ガスAは、高速回転のウエハ7の外周部から流出した後に、反応容器1の側面に向う。しかしながら、反応容器1の側面に向った反応ガスAは、その側面を流れる補助ガスBによって遮られて、ほとんど反応容器1の側面に接触しない。従って、反応容器1の側面に付着する反応副生成物の量を大幅に低減することができる。

請求項（抜粋）：

反応容器と、上記反応容器内に設けられ、ウエハを水平に載置して高速回転するウエハ載置部と、上記反応容器の上部に設けられ、上記ウエハ載置部に載置された上記ウエハの表面に向けて反応ガスを供給する反応ガス供給口と、上記ウエハ載置部に載置された上記ウエハを加熱する加熱手段と、上記反応容器の下部に設けられたガス排気管とを具備する枚葉式気相成長装置において、補助ガスを上記反応容器内の側面に沿って流れるように上記反応容器内に導入して、上記ウエハ表面から流出した上記反応ガスが上記反応容器内の側面に接触することを防止する補助ガス導入手段を具備することを特徴とする枚葉式気相成長装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/22 511 R