特許
J-GLOBAL ID：200903011382377289
ITOのドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242493
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077174
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 メタンガスのような炭化水素ガス及び水素ガスを用いるITOのドライエッチング方法において、炭化水素ガスに起因する炭素系膜の被エッチング物への生成(デポジション)を抑制する。【構成】 エッチング開始に先立ってエッチングチャンバ1内に配置した被エッチング物8を予熱して、又は予熱せず、エッチングにあたっては、エッチング用ガスとしてCH4 、H2 及び酸素化合物を含むガスを該チャンバ1内へ導入して該ガスをプラズマ化し、該プラズマのもとで該被エッチング物8におけるITOをドライエッチングする。
請求項（抜粋）：
エッチング用ガスとして炭化水素ガスと、水素ガスと、酸素化合物とを含むガスをエッチングチャンバ内へ導入して該ガスをプラズマ化し、該プラズマのもとで該チャンバ内に配置した被エッチング物におけるITOをエッチングすることを特徴とするITOのドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 29/784
