特許

J-GLOBAL ID：200903011385515194

半導体装置の製造方法並びに半導体装置

発明者： 田中 幹宏 ,  石橋 健夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240528
公開番号（公開出願番号）：特開2001-066782
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 露光によるレジストパターンの形成においては、波長による微細化の限界があり、これを超える必要がある。【解決手段】 時間を短縮した現像により、酸を発生しうるレジストパターンを形成し、この上を、酸の存在で架橋するレジストで覆う。加熱又は露光によりレジストパターン中に酸を発生させ、界面に生じた架橋層をレジストパターンの被覆層として形成し、レジストパターンを太らせる。これにより、レジストのホール径の縮小、分離幅の縮小ができる。

請求項（抜粋）：

第一レジストにより半導体基材上に酸を発生し得る第一レジストの膜を形成する工程と、短縮した現像時間により前記第一レジストの膜から酸を発生し得る第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンの上に酸の存在により架橋反応を起こす第二レジストを形成する工程と、前記第一のレジストパターンからの酸の供給により前記第二レジストの前記第一のレジストパターンに接する部分に架橋膜を形成する処理工程と、前記第二レジストの非架橋部分を剥離して第二レジストパターンを形成する工程と、この第二レジストパターンをマスクとして前記半導体基材をエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 573

Fターム (28件)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025DA13 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA24 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H025FA39 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA11 ,  2H096EA02 ,  2H096EA06 ,  2H096HA01 ,  2H096LA03 ,  5F046AA09 ,  5F046MA01 ,  5F046NA04 ,  5F046NA12 ,  5F046NA13