特許
J-GLOBAL ID：200903011392529680
複合基板とその製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255009
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094929
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【構成】貼り合わせるべき基板1,1′の表面に多結晶Ge膜3を堆積し、研磨,平坦化した後、密着させ500°C〜600°Cで加熱して貼り合わせる。その後、一方の基板を裏面から研削して薄層化する。【効果】貼り合わせのための加熱温度が500°C〜600°Cまで低温化できるため、不純物層や配線層が形成された基板あるいは化合物半導体基板を、それらの構造,特性を劣化させることなく貼り合わせることが可能となる。
請求項（抜粋）：
複数枚の基板が多結晶Geもしくは多結晶SiGe混晶の薄膜を介して貼り合わされた構造を有することを特徴とする複合基板。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 27/15
