電力供給制御装置及び半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：後呂和男 , ▲高▼木芳之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-346881
公開番号（公開出願番号）：特開2006-157645
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】電力供給制御装置において、異常を精度高く検出しうる構成を提供する。【解決手段】電力供給制御装置10は、パワーMOSFET15と、パワーMOSFET15の電流量に応じたセンス電流が流れるセンスMOSFET16と、センス電流と閾値電流とに基づいて、パワーMOSFET15に流れる電流の異常検出を行う異常検出回路13とがワンチップ化されて半導体スイッチ素子11が構成されている。半導体スイッチ素子11の外部には、パワーMOSFET15のソース端子に接続され、他端が、半導体スイッチ素子11の外部端子P4と接続され、一端の接続点の電圧レベルVsに応じた電流を、外部端子P4を通して流す外付け抵抗12が設けられている。異常検出回路13は、外部端子P4に接続されると共に、外部端子P4を通して流れる電流に応じた閾値電流Ia、Ibと、センス電流とを比較することに基づき異常信号SC,OCを出力する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

パワーFETを用いて電力供給制御を行う電力供給制御装置であって、前記パワーFETと、前記パワーFETの電流量に応じたセンス電流が流れるセンスFETと、前記センス電流と閾値電流とに基づいて、前記パワーFETに流れる電流の異常検出を行う異常検出回路と、がワンチップ化された、或いは、複数のチップで構成されてワンパッケージ内に収容された半導体スイッチ素子と、前記半導体スイッチ素子の外部に設けられると共に、一端が電源手段又は前記パワーFETのソース端子のいずれかに接続され、他端が、前記半導体スイッチ素子の外部端子と接続され、前記一端の接続点の電圧レベルに応じた電流を、前記外部端子を通して流す外付け抵抗と、を備え、前記異常検出回路は、前記外部端子に接続されると共に、前記外部端子を通して流れる電流に応じた前記閾値電流と、前記センス電流とを比較することに基づき異常信号を出力することを特徴とする電力供給制御装置。

IPC (3件)：

H03K 17/08 , H02M 1/00 , H03K 17/695

FI (3件)：

H03K17/08 C , H02M1/00 H , H03K17/687 B

Fターム (30件)：

5H740AA08 , 5H740BA12 , 5H740BA16 , 5H740BB07 , 5H740KK01 , 5H740MM08 , 5H740MM11 , 5J055AX32 , 5J055AX37 , 5J055AX64 , 5J055BX16 , 5J055CX13 , 5J055CX20 , 5J055DX22 , 5J055DX53 , 5J055EX01 , 5J055EX11 , 5J055EY03 , 5J055EY12 , 5J055EY21 , 5J055EZ00 , 5J055EZ04 , 5J055EZ09 , 5J055EZ16 , 5J055EZ55 , 5J055FX12 , 5J055FX17 , 5J055FX32 , 5J055GX01 , 5J055GX02

引用特許：

出願人引用 (1件)

過電流検出回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-027113 出願人：株式会社オートネットワーク技術研究所, 住友電装株式会社, 住友電気工業株式会社

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