特許
J-GLOBAL ID：200903011402465309
錫めっき浴および錫めっき方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
太田 明男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-349448
公開番号（公開出願番号）：特開平9-176889
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：
【要約】【課題】 高電流密度で連続的に鋼ストリップに錫めっきを施しても、めっきやけのない優れた外観の錫めっきが得られ、かつ連続操業してもスラッジの生成を大幅抑制でき、かつ、低公害、低コストである錫めっき浴、およびこの錫めっき浴を用いた錫めっき方法を提供する。【解決手段】 硫酸10〜50g/l、2価錫イオン20〜100g/l、エトキシ化α-ナフトールスルホン酸および/またはエトキシ化α-ナフトール1〜10g/lからなる錫めっき浴に、0.1〜20g/lの2価鉄イオン、または0.1〜5g/lの錫めっき浴可溶性アミノ化合物、または0.1〜20g/lの2価鉄イオンおよび0.1〜5g/lの錫めっき浴可溶性アミノ化合物を含有させ、高電流密度めっき可能な錫めっき浴を作成する。さらに、該錫めっき浴を用い、浴温が30〜60°C、電流密度が30 A/dm2以上の条件で鋼ストリップに連続的に錫めっきする。
請求項（抜粋）：
主成分として、10〜50g/lの硫酸、20〜100g/lの2価錫イオン、0.1〜20g/lの2価鉄イオン、1〜10g/lのエトキシ化α-ナフトールスルホン酸および/またはエトキシ化α-ナフトールを含む錫めっき浴。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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