特許

J-GLOBAL ID：200903011402942190

半導体素子の接続構造および接続方法

発明者： 遠山 広 ,  小澤 進 ,  北山 憂子 ,  ▲高▼橋 渉
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-300107
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144717
出願日： 1996年11月12日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 高温環境下においても接合部境界面に熱膨張係数等の違いによる歪みが発生せず、信頼性の高い接続状態を得ることができる半導体素子の接続構造および接続方法を提供する。【解決手段】 半導体素子2上に形成される突起電極4、基板1の接続電極7およびワイヤー5の金属材料は、全て同じ金属材料、例えばAu材料により形成されているため、同一金属材料による接合状態が得られ、異種金属間の接合状態と異なり、高温環境下においても接合部境界面に熱膨張係数等の違いによる歪みが発生せず、信頼性の高い接続状態が得られる。

請求項（抜粋）：

(a)接続電極が形成された基材と、(b)前記基材に搭載される半導体素子の電気信号の入力部および出力部に形成される突起電極と、(c)前記突起電極と前記接続電極を接続するワイヤーとを備え、(d)前記突起電極、接続電極、ワイヤーに同等の金属材料を用いることを特徴とする半導体素子の接続構造。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/60 301 D ,  H01L 21/60 301 F ,  H01L 21/60 301 P