特許
J-GLOBAL ID：200903011403041936
半導体力学量センサおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021344
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220140
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 P型シリコン基板上にN型エピタキシャル層を形成したウェハを用い、N型エピタキシャル層の表面側から電気化学エッチングによって、梁構造体などの可動部を精度よく形成する。【解決手段】 P型シリコン基板11上にN型エピタキシャル層12を形成したウェハを用い、N型エピタキシャル層12を貫通しP型シリコン基板11内に達するように埋め込み絶縁膜14を形成し、N型エピタキシャル層12を貫通しP型シリコン基板11内に達するトレンチを形成した後、埋め込み絶縁膜14をストッパとした電気化学エッチングにより、加速度センサにおける梁構造体(図中には梁構造体の梁部2aと可動電極2cを示す)および固定電極3、4を形成した。
請求項（抜粋）：
表面側にN型の半導体層(12、112、222)が形成されたP型の半導体基板(11、111、221)と、前記半導体層(12、112、222)を貫通し前記半導体基板(11、111、221)内に達するように形成された埋め込み絶縁膜(14、114、224)と、前記埋め込み絶縁膜(14、114、224)をストッパとし前記表面側から前記半導体基板(11、111、221)を電気化学エッチングして形成された可動部(2、102、202)とを有し、前記可動部(2、102、202)の変位により力学量を検出するようにした半導体力学量センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01P 15/125
, H01L 21/3063
H01L 29/84 Z
, G01P 15/125
, H01L 21/306 L
