特許

J-GLOBAL ID：200903011406716934

光電変換素子および電子機器

発明者： 篠原 祐治 ,  安食 嘉晴
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-345086
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159721
出願日： 2006年12月21日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】光電変換効率および耐久性に優れる光電変換素子、および、かかる光電変換素子を備える電子機器を提供すること。【解決手段】光電変換素子は、負極と、負極の一方の面側に設けられ、無機半導体材料を主材料とする複数の半導体粒子で構成された半導体層を含む光電変換層と、半導体粒子同士の間隙の少なくとも一部に充填され、かつ光電変換層の負極と反対側の面を覆うように設けられた正孔輸送層と、正孔輸送層の光電変換層と反対側に設けられた正極とを有し、正孔輸送層が、下記一般式(1)で表される化合物を含む材料で構成されていることを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

負極と、 前記負極の一方の面側に設けられ、無機半導体材料を主材料とする複数の半導体粒子で構成された半導体層を含む光電変換層と、 前記半導体粒子同士の間隙の少なくとも一部に充填され、かつ前記光電変換層の前記負極と反対側の面を覆うように設けられた正孔輸送層と、 前記正孔輸送層の前記光電変換層と反対側に設けられた正極とを有し、 前記正孔輸送層が、下記一般式(1)で表される化合物を含む材料で構成されていることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 51/42 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 D ,  H01L31/04 E

Fターム (7件)：

5F051AA07 ,  5F051AA11 ,  5F051DA20 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA08 ,  5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平1-220380号公報
  
• 光電変換素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-019130   出願人：セイコーエプソン株式会社