特許
J-GLOBAL ID：200903011409707189
酸化シリコン膜の形成法およびそれを用いた電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-120417
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315318
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】シリコン系半導体基板上に、ストレスが小さく基板に結晶欠陥を与えない、耐酸化性の良好な所望形状および厚さの酸化シリコン膜を、少ない熱酸化処理工程で再現性よく形成する方法および上記の酸化シリコン膜の形成法を電界効果トランジスタの製造工程に適用し、窒素原子濃度の均一性、再現性のよい窒素含有層をゲート絶縁層に持つ安定性および信頼性に優れた電界効果トランジスタを得る。【構成】半導体基板上に、N原子を所定の濃度で含有するシリコンからなる半導体層を形成するか、または半導体基板の上面からN原子またはN原子を含む分子のイオンを注入して所定の濃度分布でNを含有するシリコンからなる半導体層を形成した後、熱酸化処理を行う。この方法を電界効果トランジスタの製造工程に適用する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、窒素を所定の濃度で含有するシリコンからなる半導体層を形成する工程と、上記半導体層を酸化性雰囲気中で加熱して酸化する工程を少なくとも含むことを特徴とする酸化シリコン膜の形成法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 21/336
, H01L 29/784
