特許

J-GLOBAL ID：200903011415397280

半導体ウエーハの熱処理装置および熱処理方法

発明者： 江原 幸治
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-062212
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257882
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 スリップ転位を発生させることなく、短時間で効率的にウエーハに熱処理を行うことができる熱処理装置及び熱処理方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエーハの熱処理装置であって、少なくとも、前記半導体ウエーハが投入されて外部と雰囲気を遮断する熱処理室、前記熱処理室内に半導体ウエーハを投入するためのウエーハ投入口、前記熱処理室内の半導体ウエーハを加熱する加熱装置、前記熱処理室内の半導体ウエーハにガスを吹き付けることによって該半導体ウエーハを非接触状態で保持するベルヌーイチャック、前記ベルヌーイチャックにガスを導入する第一のガス導入口、熱処理室内に導入されたガスを排出するガス排出口、前記熱処理室内の温度を制御する温度コントローラとを具備すること特徴とする熱処理装置、及び該熱処理装置を用いる熱処理方法。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハの熱処理装置であって、少なくとも、前記半導体ウエーハが投入されて外部と雰囲気を遮断する熱処理室、前記熱処理室内に半導体ウエーハを投入するためのウエーハ投入口、前記熱処理室内の半導体ウエーハを加熱する加熱装置、前記熱処理室内の半導体ウエーハにガスを吹き付けることによって該半導体ウエーハを非接触状態で保持するベルヌーイチャック、前記ベルヌーイチャックにガスを導入する第一のガス導入口、熱処理室内に導入されたガスを排出するガス排出口、前記熱処理室内の温度を制御する温度コントローラとを具備することを特徴とする半導体ウエーハの熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/68 A ,  H01L 21/68 P ,  H01L 21/26 Q

Fターム (9件)：

5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031HA12 ,  5F031MA30 ,  5F031NA04 ,  5F031NA07 ,  5F031PA02 ,  5F031PA04 ,  5F031PA23