特許
J-GLOBAL ID：200903011416809353
TFT駆動イメージセンサおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
住吉 多喜男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294849
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029510
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 基板上にTFTとフォトダイオードからなるセンサを設けたイメージセンサ製造時のセンサの光電変換層をエッチングする際にTFTのバリアメタルがエッチングされることによって生じる歩留まりの低下を防ぐ。【構成】 同一の透明絶縁性基板1上に、ソース・ドレイン電極への拡散防止層とフォトダイオードの下部電極とがチタンからなる共通の金属層7で形成されているTFTとフォトダイオードが形成されたTFT駆動イメージセンサにおいて、金属層7の表面を、フォトダイオード形成部およびTFTのソース・ドレイン電極への拡散防止層の部分を除いて酸化した。
請求項（抜粋）：
同一の透明絶縁性基板上に、薄膜トランジスタ(以下、TFTという)とフォトダイオードが形成され、該TFTのソース・ドレイン電極への拡散防止層と該フォトダイオードの下部電極とがチタンからなる共通の金属層で形成されているTFT駆動イメージセンサにおいて、該チタンからなる金属層の表面が、該フォトダイオード形成部および該TFTのソース・ドレイン電極への拡散防止層の部分を除いて酸化されていることを特徴とするTFT駆動イメージセンサ。
IPC (5件)：
H01L 27/146
, H01L 21/302
, H01L 29/784
, H01L 31/10
, H04N 1/028
H01L 27/14 C
, H01L 29/78 311 C
, H01L 31/10 A
