特許

J-GLOBAL ID：200903011416986492

薄膜半導体装置及びその製造方法

発明者： 林 久雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-075755
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267578
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 薄膜半導体装置の製造用及び製品用に適した基板を提供する。【解決手段】 先ず、準備工程で、薄膜トランジスタ3を形成するプロセスに耐え得る特性を有する製造用基板20及び薄膜トランジスタ3を直接搭載するに適した特性を有する製品用基板1を準備する。次に接着工程を行ない、製品用基板1を裏から支持するために製造用基板20を製品用基板1に接着する。続いて形成工程を行ない、製造用基板20によって補強された状態で製品用基板1の表面に少なくとも薄膜トランジスタ3を形成する。最後に、分離工程を行ない、使用済みとなった製造用基板20を製品用基板1から分離する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを形成するプロセスに耐え得る特性を有する製造用基板及び薄膜トランジスタを直接搭載するに適した特性を有する製品用基板を準備する準備工程と、該製品用基板を裏から支持するために該製造用基板を該製品用基板に接着する接着工程と、該製造用基板によって補強された状態で該製品用基板の表面に少なくとも薄膜トランジスタを形成する形成工程と、使用済みとなった該製造用基板を該製品用基板から分離する分離工程とを行う薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 27/12

FI (6件)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 627 D ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 Z

Fターム (53件)：

2H092JA26 ,  2H092KA05 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA30 ,  2H092MA42 ,  2H092NA18 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5C094AA15 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA12 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EB10 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ30