特許
J-GLOBAL ID：200903011424437953
β-炭化ケイ素成形体用黒鉛基材の製造方法及びβ-炭化ケイ素成形体用黒鉛基材並びにβ-炭化ケイ素成形体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶 良之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-285728
公開番号（公開出願番号）：特開平11-116344
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】【課題】 CVR法を実施して実質100%SiC成形体を得るの最適の原料である黒鉛基材そのもの及び当該黒鉛基材を効率良く製造できる方法を提供すると共に、半導体分野向け素材として十分適用できる極めて高純度のSiC成形体そのものを提供する。【解決手段】 黒鉛基材原料を粉砕した後混練し、次いで成形,焼成,黒鉛化の各処理を順次行なってβ-SiC成形体用の黒鉛基材を製造する方法において、特に前記黒鉛基材原料を高温で(2000°C以上で)熱処理した後粉砕し、得られた粉砕品を分級して、少なくとも粒径が3〜100μmとなるように粒度調整したものを混練処理する構成により、嵩密度1.50Mg/m3 以下及び平均ポアー半径1.5μm以上の物性を有し、かつ真密度が1.8Mg/m3 以下という特徴あるβ-炭化ケイ素成形体を得るようにした。また、得られた特徴ある黒鉛基材をCVR法によりSiC化してなるSiC成形体は、不純物濃度(Fe,Al濃度)が少なくともFe:0.5ppm以下、Al:0.1ppm以下で灰分が10ppm以下の極めて高純度レベルのものである。
請求項（抜粋）：
黒鉛基材原料を粉砕した後混練し、次いで成形,焼成,黒鉛化の各処理を順次行なってβ-炭化ケイ素成形体用の黒鉛基材を製造する方法において、前記黒鉛基材原料を高温で熱処理した後粉砕し、得られた粉砕品を分級して、少なくとも粒径が3〜100μmとなるように粒度調整したものを混練処理することを特徴とするβ-炭化ケイ素成形体用黒鉛基材の製造方法。
IPC (4件)：
C04B 35/626
, C01B 31/04 101
, C04B 35/573
, H01L 21/68
C04B 35/56 101 P
, C01B 31/04 101 B
, H01L 21/68 N
, C04B 35/56 101 U
