半導体光デバイスの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-013474
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209568
出願日： 1997年01月28日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】メサストライプの両側に電流ブロック層(Fe-InP層)が接する構成では、Fe-InP層がホールの注入に対して高抵抗にならないためにリーク電流が多く流れて、半導体レーザ発振器の発振しきい値の増加、発振効率が悪化を来す。【解決手段】 n-InP基板11上にn-InPクラッド層12、InGaAsP活性層13等を形成し、続いてInGaAsP活性層13上にFe-InP層14を形成する。次いでFe-InP層14を加工してFe-InP層14を底部に残した状態に溝17を形成した後、溝17の幅方向の底部ほぼ中央部におけるFe-InP層14上にp-InPクラッド層20をこの溝17の奥行き方向に形成し、さらにその上にp-InGaAsコンタクト層21を形成する。

請求項（抜粋）：

n型のインジウムリン基板上にn型のクラッド層と活性層とを順に形成する工程と、前記活性層上に鉄をドーピングしたインジウムリン層を形成する工程と、前記鉄をドーピングしたインジウムリン層を加工して該鉄をドーピングしたインジウムリン層を底部に残した状態に溝を形成する工程と、前記溝の幅方向の底部ほぼ中央部における前記鉄をドーピングしたインジウムリン層上にp型のクラッド層を該溝の奥行き方向に形成し、さらに該p型のクラッド層上にp型のコンタクト層を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体光デバイスの製造方法。

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