特許
J-GLOBAL ID：200903011431629396
太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264611
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122761
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 従来技術の有していた特性不十分、動作寿命中の特性の劣化等の課題を解決して、優れた発電特性を示す太陽電池を提供する。【構成】 基板上に第1の電極21を備え、該電極上に n、i、p の順に半導体層を形成し、さらに第2の電極22を設けてなる Si 系非晶質太陽電池において、上記 n 層が、第1の電極21に接する部分では非晶質 n 層6であり、さらにその上に微結晶 n 層7を形成してなる層である。または、上記 n 層が、第1の電極に接する部分では非晶質 n層であり、その上に微結晶 n 層を形成し、さらにその上に非晶質 n 層を形成してなる層である。あるいは、基板上に第1の電極を備え、該電極上に p、i、n の順に半導体層を形成し、さらに第2の電極を設けてなる Si 系非晶質太陽電池において、 n 層が、 i 層と接する部分では非晶質 n 層であり、その上に微結晶 n 層を形成してなる層である。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の電極を備え、該電極上に n、i、p の順に半導体層を形成し、さらに第2の電極を設けてなる Si 系非晶質太陽電池において、上記 n 層が、上記第1の電極に接する部分では非晶質 n 層であり、さらにその上に微結晶 n層を形成してなる層であることを特徴とする太陽電池。
引用特許：
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