特許
J-GLOBAL ID：200903011435751382
半導体ウエハの温度特性の測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上代 哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-171382
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029950
出願日： 1993年07月12日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 発明は、半導体ウエハ上に形成されたIC回路等の温度特性を測定する方法に関する。【構成】 心部に半導体回路部品1を形成し、その周辺部に電極2・・・2を配置した半導体ウエハ3について前記電極2・・・2と測定器の間にプロ-ブ4・・・4を介して接続し、温度条件を変えて回路部品の特性を測定する方法であって、電極は長方形をなし、プロ-ブは電極に対してその長辺と平行に取り付け、電極の長辺は方形ウエハ3を形成するいずれかの一辺と平行に配置することが好ましい。
請求項（抜粋）：
中心部に半導体の回路部品を形成し、その周辺部に電極を配置した半導体ウエハについて前記電極と測定器の間にプロ-ブを介して接続し、温度条件を変えて回路部品の特性を測定する方法であって、電極は長方形をなし、プロ-ブは電極に対してその長辺と平行に取り付けることを特徴とする半導体ウエハの温度特性の測定方法。
IPC (2件)：
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