特許
J-GLOBAL ID：200903011437733055
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-055872
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206107
出願日： 1991年02月27日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 有機シリコン系化合物とオゾンとの反応により絶縁膜を形成する場合も下地依存性が小さく良質で安定な平坦化絶縁膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 段差2を有する基体1上の熱酸化膜3を窒素系ガスでプラズマ処理することにより、あるいは、熱酸化膜3上に不純物含有絶縁膜を形成し、有機シリコン系化合物とオゾンとの反応により平坦化絶縁膜4を得る。
請求項（抜粋）：
段差を有する基体上に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、熱酸化膜の表面を窒素系ガスでプラズマ処理するプラズマ処理工程と、有機シリコン系化合物とオゾンとの反応により基体上に平坦化絶縁膜を形成する平坦化絶縁膜形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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