特許
J-GLOBAL ID：200903011440302570
半導体結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149014
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326922
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 成長結晶表面上のステップの高さを一原子層およびテラス幅を等間隔に制御し、基板結晶表面上の面内での平坦性を向上させる。【構成】 GaAs傾斜基板1の基板結晶上に有機金属気相成長法によりGaAsバッファ層5を約600Å成長した後、このGaAsバッファ層5上にAlAs結晶層10を三原子層と、GaAs結晶層11を三原子層とを成長させ、これを一周期とする超格子を20周期成長させ、その後、図示されないが、この超格子上にAlAsを0.5原子層,次にGaAsを0.5原子層を一周期とする半導体超格子を900周期成長して縦型半導体超格子4を形成した。
請求項（抜粋）：
複数の原料原子または原料化合物を順次切り替えてGaAs(001)面から[バー110]方向へ傾いた基板結晶表面上に前記原料に応じた少なくとも2種類の半導体を析出する結晶成長法を用いて縦型半導体超格子を形成する半導体結晶成長方法において、前記縦型半導体超格子を形成するに先だって前記基板結晶表面上に2種類の半導体を一原子層づつまたは数原子層を一周期とする超格子を数十周期形成することを特徴とした半導体結晶成長方法。
IPC (4件)：
H01L 29/06
, H01L 21/205
, H01L 29/68
, H01S 3/18
