特許

J-GLOBAL ID：200903011441121293

Siクラスレート化合物及びその製造方法、並びに熱電材料

発明者： 小柳 剛 ,  長本 泰征
出願人/特許権者： 財団法人やまぐち産業振興財団
代理人 (1件)： 筒井 大和 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240226
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064006
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【課題】 毒性のない元素を使用した新規熱電材料を提供すること。【解決手段】 構成元素の供給原料をアーク溶融して、冷却することにより、Siの一部がAlで置換され、包接構造内にBaが内包された構成のSiクラスレート化合物が得られる。かかるSiクラスレート化合物は、熱電材料として使用することができる程度に低い格子熱伝導度を示した。

請求項（抜粋）：

Siの一部が第1の元素で置換され、包接構造内部に第2の元素が内包されていることを特徴とするSiクラスレート化合物。

IPC (3件)：

C01B 33/02 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

C01B 33/02 Z ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34

Fターム (18件)：

4G072AA20 ,  4G072BB01 ,  4G072BB05 ,  4G072GG01 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ08 ,  4G072JJ09 ,  4G072MM01 ,  4G072MM26 ,  4G072MM37 ,  4G072MM38 ,  4G072QQ02 ,  4G072RR07 ,  4G072RR22 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30