特許
J-GLOBAL ID：200903011450924951
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037626
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252354
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】通常のLOCOS法で素子分離領域形成後にウェルを形成する場合でも、活性領域と素子分離領域下の双方で最適な不純物濃度プロファイルを実現できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】p型シリコン基板1表面にシリコン窒化膜2を堆積し、その上にレジストパターン3を形成する。つぎにレジストパターン3をマスクとしてシリコン窒化膜2を選択的にエッチングして、シリコン窒化膜パターン2aを形成する。レジストパターン3を除去後、シリコン窒化膜パターン2aをマスクとして熱酸化を行いシリコン酸化膜4を形成する。シリコン窒化膜パターン2aを除去せず、レジストパターン5を形成し、レジストパターン5をマスクとしてイオン注入によりn型不純物を注入する。シリコン窒化膜パターン2aを除去した後、最後に、900°Cで16時間程度熱処理を行うことにより不純物を拡散(ドライブイン)させ、シリコン酸化膜4下とシリコン窒化膜パターン2aに保護されていた活性領域下で不純物濃度分布がほぼ等しいn型拡散層(nウェル)7を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面にシリコン窒化膜を堆積しエッチングにより所望のパターンを形成する工程と、前記シリコン窒化膜パターンをマスクとして前記シリコン窒化膜のない領域を酸化して酸化膜領域とする工程と、前記シリコン窒化膜を除去せず、前記シリコン窒化膜パターンおよび前記酸化膜領域上の所望領域にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行う工程と、前記イオン注入後にシリコン窒化膜を除去する工程を備えた半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/092
, H01L 21/265
, H01L 21/76
, H01L 21/316
H01L 27/08 321 B
, H01L 21/265 H
, H01L 21/94 A
