特許
J-GLOBAL ID：200903011468316614
半導体基板の処理方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071050
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283090
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】加熱工程を含んだ半導体基板の処理を行う際に、加熱のための光源を処理を行う装置の設置してあるクリーンルームとは雰囲気の違う離れた場所に設置し、光エネルギを光ファイバーによって輸送し、半導体基板の温度が均一にするように光ファイバーを半導体基板から離して設置した処理方法と装置。【構成】加熱を行うエネルギ源としての処理対象の半導体基板が効率良く吸収できる波長を主たる成分とした光源、光エネルギの輸送手段としての光ファイバー、半導体基板を主たる構成要素している。【効果】均一に半導体基板の温度を設定できるので、品質の良好な処理工程を実施することができる。また、光ファイバーのクリーンルームの中で無駄な排熱を行わないので、クリーンルーム用役設備、及びその運転費用の低減、当該処理装置の大きさの低減、クリーンルーム大きさの低減等によって、製造コストを低減できる。
請求項（抜粋）：
清浄な雰囲気で温度と湿度とが管理されたクリーンルーム内に設置された半導体基板の処理ステージと、該処理ステージに載置された半導体基板を加熱するために処理ステージから隔離されて上記クリーンルームとは異なる雰囲気の場所に設置された加熱エネルギを発生する光源と、該光源と処理ステージとを連絡する光輸送媒体をと備えており、該光輸送媒体は複数本の光ファイバーから成り、それぞれの光ファイバから基板に放射する光ファイバの端面の配置を、光スポット中心間の距離Dと光ファイバの端面と基板との距離hとの関係がh/D≧1.1になるようにする事により、基板の温度分布の均一性を向上させたことを特徴とする半導体基板の処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, G02B 6/00 331
, H01L 21/26
