半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176385
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021217
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【構成】本発明ではかかる従来の課題解決のため、ICチップ周辺、すなわちスクライブ領域の絶縁膜が水分や不純物のバリア効果が大きく機械強度に優れた金属、金属シリサイド、または金属の窒化物の埋め込まれた穴で囲まれてなることを特徴としている半導体装置。【効果】外部から保護膜の薄い部分や界面を通って水分や不純物が進入しない。このため、水分や不純物進入によるデバイス特性の劣化やAl腐食による断線不良を回避できる。また、機械強度に優れた金属、金属シリサイド、または金属の窒化物の側壁で囲まれているため、樹脂ストレスによるICチップ周辺にクラックの発生防止、また、Al配線のずれの発生防止等、ICの故障も回避できる。

請求項（抜粋）：

ICチップの周辺、すなわちスクライブ領域の絶縁膜が金属、金属シリサイド、または金属の窒化物で埋め込まれた穴で囲まれてなることを特徴とする半導体装置。

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