特許

J-GLOBAL ID：200903011473079957

X線マスクとその製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 近▲藤▼ 和昭
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-091348
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291121
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 X線マスクとその製造方法及びそのX線マスクを用いて露光を行う工程を含む半導体装置の製造方法に関し、マスクパターンの精度向上を容易にすることを目的とする。【構成】 円筒状の支持枠上にメンブレンが張設され、該メンブレン上にマスクとなる吸収体パターンが形成されるX線マスクにおいて、該メンブレンの周辺部に、該支持枠の内周に沿って、該メンブレンの露光領域よりも機械的な伸縮性の大きい均一な脱応力領域を設けるように構成したX線マスクとその製造方法及びこのX線マスクを用いX線露光を行うことによりパターン形成を行うように構成した半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

円筒状の支持枠上にメンブレンが張設され、該メンブレン上にマスクとなる吸収体パターンが形成されるX線マスクにおいて、該メンブレンの周辺部に、該支持枠の内周に沿って、該メンブレンの露光領域よりも機械的な伸縮性の大きい均一な脱応力領域を設けたことを特徴とするX線マスク。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 331 M ,  H01L 21/30 331 E