特許
J-GLOBAL ID:200903011475859070

圧電素子、インクジェットヘッドおよびそれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-384317
公開番号(公開出願番号):特開2003-188433
出願日: 2001年12月18日
公開日(公表日): 2003年07月04日
要約:
【要約】【課題】 結晶性および(001)結晶配向性の良好なPZT圧電薄膜を作製することにより、圧電素子の特性バラツキ、耐電圧、信頼性を向上させる。【解決手段】 基板11上に(100)配向NaCl型結晶構造の酸化物薄膜からなる第1の配向制御層13を設け、その第1の配向制御層13上に(100)配向Pt薄膜からなる第1の電極層14を設け、その第1の電極層上にZrを含まないチタン酸鉛を主成分とした第2の配向制御層15を設け、その第2の配向制御層15上にPZT薄膜からなる圧電体層16を設け、その圧電体層上に第2の電極層17を設けた構成の圧電素子。
請求項(抜粋):
基板上に第1の配向制御層を設け、その第1の配向制御層上に第1の電極層を設け、その第1の電極層上に第2の配向制御層を設け、その第2の配向制御層上に圧電体層を設け、その圧電体層上に第2の電極層を設けた圧電素子。
IPC (6件):
H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22
FI (5件):
H01L 41/08 C ,  H01L 41/08 D ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 Z
Fターム (9件):
2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG42 ,  2C057AG44 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14

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