特許
J-GLOBAL ID：200903011481207565
超微細周期構造の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 三彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-003712
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204439
出願日： 1998年01月12日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 原子レベルの周期的構造を十分な精度をもって実現することができる超微細周期構造の製造方法を提供すること。【解決手段】 コヒーレントな放射光、レーザー光またはコヒーレントな電子ビームのいずれかを複数の方向から基板7の表面に照射して基板表面に2次元干渉像を形成し、同時に原料分子または原料原子を照射することにより、上記原料分子または原料原子が反応してなる材料24を基板7上の上記2次元干渉像の存在する位置のみに選択的に堆積させるようにしたもの。
請求項（抜粋）：
コヒーレントな放射光、レーザー光またはコヒーレントな電子ビームのいずれかを複数の方向から基板表面に照射して基板表面に2次元干渉像を形成し、同時に原料分子または原料原子を照射することにより、上記原料分子または原料原子が反応してなる材料を上記基板上の上記2次元干渉像の存在する位置のみに選択的に堆積させることを特徴とする超微細周期構造の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/285
, H01L 21/302
, H01L 21/31
H01L 21/205
, H01L 21/285 Z
, H01L 21/31 B
, H01L 21/302 Z
