特許

J-GLOBAL ID：200903011482080496

多孔質シリコン薄膜の形成方法

発明者： 谷口 浩 ,  田中 潤一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-160872
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017733
出願日： 1995年06月27日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【構成】 電子サイクロトロン共鳴下、10-1〜103 Paのガス圧、0.1〜5kWのパワーでプラズマ化したシラン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いて、0〜-200Vのバイアスを印加した基板上に多孔質シリコン薄膜を形成する多孔質シリコン薄膜の形成方法。【効果】 多孔質シリコン薄膜の形成はドライプロセスのみで行うことができるため、その他の電子素子作製プロセスとの良好な整合性を得ることができる。従って、従来の陽極化成法等のウェットプロセスと比較して、各種オプトエレクトロニクスデバイスの実現をさらに有利に行うことができる。また、他のドライプロセスと比較して、大面積にわたり一様で、しかもダメージの少ない高品質な多孔質シリコン薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

電子サイクロトロン共鳴下、10-1〜103 Paの圧力、0.1〜5kWのマイクロ波パワーでプラズマ化したシラン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いて、0〜-200Vのバイアスを印加した基板上に多孔質シリコン薄膜を形成することを特徴とする多孔質シリコン薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01S 3/18