特許
J-GLOBAL ID：200903011482121192
面発光レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-143457
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332684
出願日： 2002年05月17日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】【課題】 高次の横モードの発振を抑制し、基本横モードのみの発振を実現することのできる面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】 電流狭窄領域を構成するペア内のp型高屈折率領域52上の面上の一部分のみに、p型InGaP等のp型低屈折率材料で形成されたλ/4厚の円柱(若しくは切頭円錐)または角柱(若しくは切頭四角錐)の位相調整層25を配置する。また、この位相調整層25上と、露出されたままの上記p型高屈折率領域52上とに、n型上部半導体多層膜反射鏡16(上部DBRミラー)を形成する。これにより、位相調整層25を含んだ経路上での半導体多層膜反射鏡の反射率を、位相調整層25を含まない経路に対して高くする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、高屈折率領域と低屈折率領域との対を1ペアとして複数のペアから構成される下部半導体多層膜反射鏡と、前記下部半導体多層膜反射鏡の上方に位置する活性領域と、前記活性領域近傍に位置する電流狭窄領域と、前記活性領域の上方に位置するとともに高屈折率領域と低屈折率領域との対を1ペアとして複数のペアから構成される上部半導体多層膜反射鏡と、前記上部半導体多層膜反射鏡の上方に位置するコンタクト層と、を有する面発光レーザ素子において、前記活性領域と前記上部半導体多層膜反射鏡との間の一部の領域に位置するとともに、発振波長の1/4光学膜厚を有する半導体層を備えたことを特徴とする面発光レーザ素子。
Fターム (5件)：
5F073AA51
, 5F073AB17
, 5F073EA15
, 5F073EA16
, 5F073EA29
