特許

J-GLOBAL ID：200903011485097888

発光ダイオード

発明者： 小橋 康二 ,  佐藤 忠重 ,  高橋 比等良
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-218470
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083926
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハを用いた高発光強度かつ長寿命の発光ダイオードを提供することである。【構成】 {100}面から特定の<110>方向へ5〜16°、好ましくは、11〜15°偏位した面方位を有するIII-V族化合物単結晶基板を用いる。

請求項（抜粋）：

閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するIII-V族化合物単結晶基板上に、りん化ガリウムまたはりん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャル層を成長したエピタキシャルウエハからなる発光ダイオードにおいて、前記基板の表面が下記に示す結晶学的面方位のいずれか一つであることを特徴とする発光ダイオード。(1)(100)面から[010]、[001]、[0-10]または[00-1]方向へ5〜16 ゚偏位した面。(2)(-100)面から[010]、[001]、[0-10]または[00-1]方向へ5〜16 ゚偏位した面。(3)(010)面から[100]、[-100]、[001]または[00-1]方向へ5〜16 ゚偏位した面。(4)(0-10)面から[100]、[-100]、[001]または[00-1]方向へ5〜16 ゚偏位した面。(5)(001)面から[100]、[-100]、[010]または[0-10]方向へ5〜16 ゚偏位した面。(6)(00-1)面から[100]、[-100]、[010]または[0-10]方向へ5〜16 ゚偏位した面。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-016993