特許

J-GLOBAL ID：200903011486160052

発光素子の製造方法

発明者： 中井 昭暢 ,  池田 正清
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064199
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264830
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 あまり大がかりな装置を必要とせずに、p型GaN系半導体層に高抵抗部分と低抵抗部分を有する発光素子の製造方法を提供する。【構成】 基板1上に、n型GaN系化合物半導体層3、4およびp型GaN系化合物半導体層5〜7をこの順に積層してなり、高抵抗部8を有する発光素子の製造方法において、基板1上にn型GaN系化合物半導体層3、4およびp型GaN系化合物半導体層5〜7を積層し、次いで、前記p型GaN系化合物半導体層7の表面に部分的にマスク9を施し、水素または水素化合物を含む雰囲気でアニールし、前記p型GaN系化合物半導体層5〜7を部分的に高抵抗化する。

請求項（抜粋）：

基板上に、n型GaN系化合物半導体層およびp型GaN系化合物半導体層をこの順に積層してなり、高抵抗部を有する発光素子の製造方法において、基板上にn型GaN系化合物半導体層およびp型GaN系化合物半導体層を積層し、次いで、前記p型GaN系化合物半導体層の表面を部分的にマスクし、水素または水素化合物を含む雰囲気でアニールし、前記p型GaN系化合物半導体層を部分的に高抵抗化する工程を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。