特許

J-GLOBAL ID：200903011486526901

多層配線構造の形成方法

発明者： 小澤 進 ,  烏野 ゆたか ,  高橋 良郎 ,  野中 裕司
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-073981
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291461
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 多層配線構造を形成する際に塗布材料を用いるとその塗布膜15に盛り上がり部Pが生じこれが密着露光法に悪影響を与える。これを除去できる方法を提供する。【構成】 塗布法により形成した層間絶縁膜形成用の膜15であって盛り上がり部Pを有する膜15上にポジ型レジスト層17を形成する(図1(B))。このレジスト層17及び層間絶縁膜形成用の膜15の盛り上がり部Pに当たる部分を露光法やエッチング手段により選択的に除去する(図1(C)〜(D))。盛り上がり部の除去の済んだレジストパターン17xにホトマスク密着させて配線形成のための露光をする。

請求項（抜粋）：

塗布法により塗布可能な絶縁性材料を下地上に塗布し該下地上に層間絶縁膜形成用の膜を形成する工程と、レジスト層を密着露光法を用いて露光し配線形成用のレジストパターンを形成する工程とを含む多層配線構造の形成方法において、前記層間絶縁膜形成用の膜及び前記レジスト層にそれらを形成した塗布法に起因して生じる盛り上がり部のうちの少なくとも層間絶縁膜形成用の膜の盛り上り部を除去した後に、前記密着露光を行うことを特徴とする多層配線構造の形成方法。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01L 21/90 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 Q